Hutchison group,and considering the crystalline electric field(CEF) effect with point-charge model,the paper obtains CEF parameters,CEF splitting levels and the corresponding wave functions of rare earth compound TbNiAl_4.
Hutchison小组测量的磁化率倒数与温度的关系曲线,得到了稀土化合物TbNiAl4的晶场系数、晶场分裂能和相应波函数,并从理论上分析了晶场效应对化合物磁性的影响。
double diffused mos fet
dmos场效应晶体管
metal insulator semiconductor fet
mis场效应晶体管
polysilicon fet
多晶硅场效应晶体管
vertical junction fet
垂向结型场效应晶体管
n-channel transistor
n沟道场效应晶体管
vertical channel fet
垂直沟道场效应晶体管
linear load field effect transistor
线性负载场效应晶体管
multichannel fet
多通道场效应晶体管
gallium arsenide fet
砷化镓场效应晶体管
multiple gate finger fet
多梳形栅场效应晶体管
single gate FET
单栅极场效应晶体管
ion implanted fet
离子注入场效应晶体管
ion selective field effect transistor
离子选择场效应晶体管
field-effect-transistor resistor
场效应晶体管电阻器
offset gate fet
补偿栅场效应晶体管
normally on fet
耗尽型场效应晶体管
normally off fet
增强型场效应晶体管
junction gate field effect transistor
面结型栅场效应晶体管
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